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Toshiba U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba  U-MOSVI-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von -40 V, die sich hervorragend für Fahrzeug anwendungen eignen. Sie verfügen über eine Gate-Drive-Spannung von -4,5 V im Vergleich zu -6 V für  herkömmliche Produkte im DPAK+-Gehäuse. Dies ermöglicht die Verwendung von Systemen, auch wenn die Batteriespannung sinkt. Die MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand:
    • RDS(ON) = 1,45 mΩ (max.) bei VGS = -10 V (TJ200F04M3L)
    • RDS(ON) = 2,4 mΩ (max.) bei VGS = -10 V (XPH3R114MC)
    • RDS(ON) = 3,6 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (XPH4R714MC)
    • RDS(ON) = 4,0 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ80S04M3L)
    • RDS(ON)  = 4,3 mΩ (max.) bei VGS  = -10 V ( TJ90S04M3L)
    • RDS(ON) = 4,8 mΩ (typisch) bei VGS  = -10 V ( TJ60S04M3L)
    • RDS(ON) = 7,0 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 7,4 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (XPN9R614MC)
    • RDS(ON) = 8,6 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ60S06M3L)
    • RDS(ON) = 10,3 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 16,8 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ30S06M3L)
    • RDS(ON) = 17 mΩ (max.) bei VGS = -10 V (TJ20S04M3L)
    • RDS(ON) = 33,8 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ10S04M3L)
    • RDS(ON) = 38,5 mΩ (max.) bei VGS = -10 V (TJ15S06M3L)
    • RDS(ON) = 80 mΩ (typisch) bei VGS = -10 V (TJ8S06M3L)
  • Niedrige Gate-Drive-Spannung (-4,5 V)
  • Enger Gate-Schwellenspannungsbereich: Vth = -1,0 bis -2,0 V (enger: 1-V-Bereich)
  • Niedriger thermischer Widerstand: Rth(ch-C) = 0,83 °C/W (max.)
  • Kanalnenntemperatur: Tch = 175 °C
  • Geringes Schaltrauschen

Applikationen

  • Lastschalter (Ersatz für mechanische Relais)
  • Motorantriebe

Beispiel für Schaltung

Toshiba U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ TJ40S04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Datenblatt MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Datenblatt MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Veröffentlichungsdatum: 2020-04-29 | Aktualisiert: 2025-08-19