Zurück zu Toshiba

Toshiba Automotive-U-MOSX-H-MOSFETs

Toshiba Automotive-U-MOSX-H-MOSFETs sind mit einem niedrigen Drain-Source-On-Widerstand AEC-Q101-qualifiziert. Die U-MOSX-H verfügen über einen niedrigen Ableitstrom von IDSS = 10 µA (max.) (VDS = 100 V). Die Bauteile eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Automotive, Schaltspannung, Regler, DC/DC-Wandler und Motortreiber. 

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Niedriger Drain-Source-On-Widerstand: RDS(on) = 1,6 mΩ (typisch) (VGS = 10 V)
  • Niedriger Ableitstrom: IDSS = 10 µA (max.) (VDS = 100 V)
  • Anreicherungsmodus: Vth = 2,5 V bis 3,5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Applikationen

  • Fahrzeuganwendungen
  • Schaltspannungsregler
  • DC/DC-Wandler
  • Motortreiber

Verwandte Produkte

Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

Learn Moreüber Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs View Productsverwandt mit Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von -40 V für Fahrzeug anwendungen.

Learn Moreüber Toshiba U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs View Productsverwandt mit Toshiba U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

Learn Moreüber Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs View Productsverwandt mit Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs

Silizium-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der gemäß AEC-Q101 in einem kompakten, dünnen TSON-Gehäuse qualifiziert ist.

Learn Moreüber Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs View Productsverwandt mit Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2020-04-29 | Aktualisiert: 2025-08-19