Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs
Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101-qualifiziert und in einem kompakten, dünnen TSON-Gehäuse untergebracht. Der XPN12006NC verfügt über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand, einen niedrigen Ableitstrom und einen Anreicherungsmodus.
Die XPN12006NC U-MOSVIII-H-Leistungs-MOSFETs von Toshiba eignen sich hervorragend für Schaltspannungsregler, DC/DC-Wandler, Motortreiber und Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Kleines, dünnes Gehäuse
Applikationen
- Fahrzeuganwendungen
- Schaltspannungsregler
- DC/DC-Wandler
- Motortreiber
Technische Daten
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand: RDS(ON) = 9,8 mΩ (typisch) (VGS = 10 V)
- Niedriger Ableitstrom: IDSS = 10 µA (max.) (VDS = 60 V)
- Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA) Anreicherungsmodus
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