Toshiba Automotive-n-/p-Kanal-SSMx-MOSFETs

Toshiba Automotive-n- und p-Kanal-SSMx-MOSFETs sind in mehreren Gehäuseausführungen erhältlich, um verschiedene Fahrzeuganwendungen in 12-V- bis 48-V-Batteriesystemen abzudecken. Die AEC-qualifizierten SSMx-MOSFETS profitieren von den hochmodernen Wafer-Prozessen von Toshiba, die das Schaltrauschen unterdrücken. Die Wafer-Prozesse und der niedrige Widerstand ermöglichen es diesen MOSFETs, ein führendes Niveau an niedrigem Einschaltwiderstand zu erreichen. Der niedrige Widerstand trägt zur Verringerung der Energieverluste und zur Miniaturisierung der Applikationen bei.

Merkmale

  • Deckt verschiedene Fahrzeuganwendungen in 12-V-bis 48-V-Batteriesystemen ab.
  • Hochmoderne Wafer-Prozesse unterdrücken Schaltgeräusche
  • Nach AEC qualifiziert
  • Erzielt ein führendes Niveau mit geringem Einschaltwiderstand
  • Der niedrige Widerstand trägt zur Verringerung der Energieverluste und zur Miniaturisierung der Applikationen bei.
  • Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage

Applikationen

  • Elektrische Wasserpumpen
  • Kraftübertragungsmanagement
  • Elektrische Schiebetüren
  • IVI
  • Elektrische Servolenkung
  • Heizung, Lüftung, Klimatechnik (HLK)
  • Motorsteuerung
  • Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS)
  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme
  • LED-Scheinwerfer
  • Schutz vor Verpolung der Stromversorgung

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Veröffentlichungsdatum: 2021-06-25 | Aktualisiert: 2022-10-05