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XPN12006NC,L1XHQ

Name: Toshiba XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPN12006NCL1XHQ
Price: 1.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPN12006NCL1XHQ

Herst.- Nr.:

XPN12006NC,L1XHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs TSON N-CH 60V 20A

Datenblatt:

XPN12006NC,L1XHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.859	CHF 8.59
	CHF 0.582	CHF 58.20
	CHF 0.476	CHF 238.00
	CHF 0.441	CHF 441.00
	CHF 0.433	CHF 1 082.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.379	CHF 1 895.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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Datenblatt

XPN12006NC,L1XHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs

Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101-qualifiziert und in einem kompakten, dünnen TSON-Gehäuse untergebracht. Der XPN12006NC verfügt über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand, einen niedrigen Ableitstrom und einen Anreicherungsmodus.

U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.