Automotive-n-/p-Kanal-SSMx-MOSFETs

Toshiba Automotive-n- und p-Kanal-SSMx-MOSFETs sind in mehreren Gehäuseausführungen erhältlich, um verschiedene Fahrzeuganwendungen in 12-V- bis 48-V-Batteriesystemen abzudecken. Die AEC-qualifizierten SSMx-MOSFETS profitieren von den hochmodernen Wafer-Prozessen von Toshiba, die das Schaltrauschen unterdrücken. Die Wafer-Prozesse und der niedrige Widerstand ermöglichen es diesen MOSFETs, ein führendes Niveau an niedrigem Einschaltwiderstand zu erreichen. Der niedrige Widerstand trägt zur Verringerung der Energieverluste und zur Miniaturisierung der Applikationen bei.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
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Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
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Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
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Si SMD/SMT UF6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
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6 000erwartet ab 27.04.2026
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Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
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Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
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3 000erwartet ab 24.04.2026
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
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Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
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3 000erwartet ab 24.04.2026
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 10.4 nC + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
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4 396erwartet ab 12.06.2026
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Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
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Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel