Toshiba AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs
Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.
Höhere Schaltfrequenzen in Verbindung mit höherer Leistung erfordern Bauteile mit niedrigeren Einschaltwiderständen. Dies sorgt jedoch für schnelle Schaltgeschwindigkeiten, ohne dass die EMI-Rauschpegel beeinträchtigt werden. Toshiba hat hochmoderne Wafer-Prozesse zur Unterdrückung von Schaltrauschen entwickelt und das Produktdesign weiter verbessert.
Durch die Kombination der neuesten Wafer-Prozesse mit Gehäusetechnologien mit geringem Widerstand werden branchenweit niedrige Einschaltwiderstände erzielt. Toshiba verwendet Kupfersteckverbinder in seinen MOSFETs und bietet einen extrem niedrigen Gehäusewiderstand und eine extrem niedrige Induktivität. Dieser niedrige Widerstand trägt zu einem reduzierten Energieverlust und einer Miniaturisierung von Applikationen bei.
Die Einführung des Gehäuse mit benetzbarer Flanke ermöglicht eine bessere automatische optische Inspektion (AOI) und Unterstützung mit Lötdochtwirkung. Diese Verbesserungen helfen sicherzustellen, dass der Chip durch verschiedene extreme Zuverlässigkeitsbedingungen aufrechterhalten wird.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- RDS(ON) = 0,74 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TKR74F04PB mit einem WARP-TO-220SM(W)-Gehäuse von 40 V)
- RDS(ON) = 3,3 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TK90S06N1L mit 60-V-DPAK+-Gehäuse)
- RDS(ON) = 2,4 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TK160F10N1L mit 100-V-WARP-TO-220-SM(W)-Gehäuse)
- 40-V-, 60-V-, 100-V-p-Kanal- und n-Kanal-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit dem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse
- AEC-Q101-qualifiziert
- SOP-Advance (WF)-, TSON-Advance (WF)- und DSOP-Advance (WF)-Gehäuseoptionen mit benetzbarem Flankenanschlussaufbau
Applikationen
- Automotive-Ausstattung
- Stromversorgung (DC/DC-Wandler) und LED-Scheinwerfer usw. (Motorantriebe, Schaltregler und Lastschalter)
Verwandte Produkte
Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs
Silizium-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der gemäß AEC-Q101 in einem kompakten, dünnen TSON-Gehäuse qualifiziert ist.
Blockdiagramme
