onsemi NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET (SJ) mit der Ladungsausgleich-Technologie für herausragenden niedrigen Einschaltwiderstand und niedriges Gateladungs-Betriebsverhalten. Die Ladungsausgleich-Technologie minimiert Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ermöglicht die Fähigkeit, extremen dV/dt-Raten standzuhalten. Der NTP110N65S3HF SUPERFET III MOSFET ist ideal für Stromversorgungssysteme, die Miniaturisierung und hohen Wirkungsgrad erfordern. Der NTP110N65S3HF zeichnet sich zudem durch eine optimierte Leistung der Sperrverzögerungs-Body-Diode aus, was zu weniger zusätzlichen Komponenten und einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt.
Der NTP110N65S3HF SUPERFET III Power MOSFET wird in einem kompakten TO-220-3L Gehäuse angeboten. Dieses Bauelement ist RoHS-konform und bleifrei.
Merkmale
- 700V bei TJ= 150°C
- Typ. RDS(on)= 98mΩ
- Sehr niedrige Gate-Ladung (typisch. QG = 62nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typisch. COSS(eff.)= 522μF)
- Hervorragende Leistung der Body-Diode (niedrige Qrr , robuste Body-Diode)
- Optimierte Kapazität
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems bei niedrigen Betriebstemperatur
- Niedrige Schaltverluste
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems in LLC und Phasen-Shift - Vollbrückenschaltung
- Niedrige Spitze VDS und niedriger VGS Schwingung
- 100 % Avalanche-getestet
- Gehäusetyp: TO-220-3L
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Telekom-/Server-Netzteile
- Industrienetzteile
- EV-LadeBauteile
- UPS / Solar
Gate-Ladung-Testschaltung
Resistiver Schaltzeit-Teststromkreis
Induktiver Schaltzeit-Teststromkreis
Verwandte Produkte
onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifizierter Super-Junction-MOSFET mit Ladungsausgleich-Technologie im TO-247-Gehäuse.
onsemi NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifizierter Super-Junction-MOSFET mit Ladungsausgleich-Technologie im TO-247-Gehäuse.
onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET
Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET unter Verwendung der Ladungsausgleich-Technologie in einem D2PAK-3Gehäuse.
onsemi NTPF110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET
Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET unter Verwendung der Ladungsausgleich-Technologie in einem TO-220-Full-Pack-Gehäuse.
onsemi NVMTS0D4N04CL 40-V-Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifizierter, PPAP-fähiger 40-V-Leistungs-MOSFET in einem flachen DFNW-Gehäuse mit benetzbaren Flanken von 8 mm2.
onsemi NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifizierter Super-Junction-MOSFET mit Ladungsausgleich-Technologie im TO-247-Gehäuse.
Related Applications
onsemi YAGEO Group Intelligente Fabrikautomatisierungsleistung
Erkunden Sie die dynamische Landschaft der Fabrikautomatisierung und ihre zentrale Rolle in der modernen Industrie.