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NVHL040N65S3F

Name: onsemi NVHL040N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL040N65S3F
Price: 12.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL040N65S3F

Herst.- Nr.:

NVHL040N65S3F

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

Datenblatt:

NVHL040N65S3F Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	153 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	446 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	SuperFET III
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	53 ns
Serie:	SuperFET3
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	96 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

NVHL040N65S3F Datenblatt

Models

NVHL040N65S3F Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET^® III Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-AEC-Q101-Super-Junction- (SJ) MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie verwendet, um eine hervorragende Ladeleistung mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedriger Gate-Spannung zu erreichen. Die Ladungsausgleich-Technologie minimiert Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ermöglicht die Fähigkeit, extremen dV/dt-Raten standzuhalten. Der NVHL040N65S3F SUPERFET III MOSFET ist ideal für Stromversorgungssysteme, die Miniaturisierung und hohen Wirkungsgrad erfordern. Der NVHL040N65S3F zeichnet sich zudem durch eine optimierte Leistung der Sperrverzögerungs-Body-Diode aus, was zu weniger zusätzlichen Komponenten und einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.