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NTB110N65S3HF

Name: onsemi NTB110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB110N65S3HF
Price: 5 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTB110N65S3HF

Herst.- Nr.:

NTB110N65S3HF

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110M

Datenblatt:

NTB110N65S3HF Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.00	CHF 5.00
	CHF 3.53	CHF 35.30
	CHF 2.94	CHF 294.00
	CHF 2.54	CHF 1 270.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 2.54	CHF 2 032.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	62 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	240 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET III
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	SuperFET3
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	1.485 g

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Datenblatt

NTB110N65S3HF Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET^® III Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET (SJ) mit der Ladungsausgleich-Technologie für herausragenden niedrigen Einschaltwiderstand und niedriges Gateladungs-Betriebsverhalten. Die Ladungsausgleich-Technologie minimiert Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ermöglicht die Fähigkeit, extremen dV/dt-Raten standzuhalten. Der NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET ist ideal für Stromversorgungssysteme, die Miniaturisierung und hohen Wirkungsgrad erfordern. Der NTB110N65S3HF zeichnet sich zudem durch eine optimierte Leistung der Sperrverzögerungs-Body-Diode aus, was zu weniger zusätzlichen Komponenten und einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt.