onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® - III Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET (SJ) mit der Ladungsausgleich-Technologie für herausragenden niedrigen Einschaltwiderstand und niedriges Gateladungs-Betriebsverhalten. Die Ladungsausgleich-Technologie minimiert Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ermöglicht die Fähigkeit, extremen dV/dt-Raten standzuhalten. Der NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET ist ideal für Stromversorgungssysteme, die Miniaturisierung und hohen Wirkungsgrad erfordern. Der NTB110N65S3HF zeichnet sich zudem durch eine optimierte Leistung der Sperrverzögerungs-Body-Diode aus, was zu weniger zusätzlichen Komponenten und einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt.
Der NTB110N65S3HF SUPERFET III Power MOSFET wird in einem kompakten D2PAK-3 Gehäuse angeboten. Dieses Bauelement ist RoHS-konform und bleifrei.
Merkmale
- 700V bei TJ= 150°C
- Typ. RDS(on)= 98mΩ
- Ultrageringe Gateladung (Typ. Qg = 62nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typisch COSS(eff.)= 522μF)
- Hervorragende Leistung der Body-Diode (niedrige Qrr , robuste Body-Diode)
- Optimierte Kapazität
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems bei niedrigen Betriebstemperatur
- Niedrige Schaltverluste
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems in LLC und Phasen-Shift - Vollbrückenschaltung
- Niedrige Spitze VDS und niedrige VGS Schwingung
- 100 % Avalanche-getestet
- Gehäuseausführung: D2PAK-3
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Telekom-/Server-Netzteile
- Industrienetzteile
- EV-LadeBauteile
- UPS / Solar
Gate-Ladung-Testschaltung
Resistiver Schaltzeit-Teststromkreis
Induktiver Schaltzeit-Teststromkreis
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