onsemi NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET® III Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-AEC-Q101-Super-Junction- (SJ) MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie verwendet, um eine hervorragende Ladeleistung mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedriger Gate-Spannung zu erreichen. Die Ladungsausgleich-Technologie minimiert Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ermöglicht die Fähigkeit, extremen dV/dt-Raten standzuhalten. Der NVHL040N65S3F SUPERFET III MOSFET ist ideal für Stromversorgungssysteme, die Miniaturisierung und hohen Wirkungsgrad erfordern. Der NVHL040N65S3F zeichnet sich zudem durch eine optimierte Leistung der Sperrverzögerungs-Body-Diode aus, was zu weniger zusätzlichen Komponenten und einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt.Der NVHL040N65S3F SUPERFET III Leistungs-MOSFET wird in einem 3-poligen TO-247-Long-Lead-Gehäuse angeboten. Dieses Bauelement ist RoHS-konform und bleifrei. Der NVHL040N65S3F ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch er sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
- 700V bei TJ= 150°C
- Typ. RDS(on)= 33,8 mΩ
- Ultraniedrige Gateladung (typ. Qg = 153nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typisch. COSS(eff.)= 1333μF)
- Hervorragende Leistung der Body-Diode (niedrige Qrr , robuste Body-Diode)
- Optimierte Kapazität
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems bei niedrigen Betriebstemperatur
- Niedrige Schaltverluste
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems in LLC und Phasen-Shift - Vollbrückenschaltung
- Niedrige Spitze VDS und niedriger VGS Schwingung
- 100 % Avalanche-getestet
- Gehäuseausführung: TO-247 Long-Lead
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive-On-Board-LadeBauteile HEV-EV
- Automotive-DC-DC-Wandler für HEV-E
Gate-Ladung-Testschaltung
Resistiver Schaltzeit-Teststromkreis
Induktiver Schaltzeit-Teststromkreis
Veröffentlichungsdatum: 2019-02-28
| Aktualisiert: 2024-01-25
