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Infineon Technologies CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs sind hervorragend geeignet für hartschaltende und resonante Schalttopologien. Die Infineon 400 V CoolSiC MOSFETs sind speziell für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-Netzteilen (PSUs) ausgelegt und eignen sich auch hervorragend für Applikationen wie Solar- und Energiespeichersysteme. CoolSiC-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist.

Merkmale

  • Hervorragend geeignet für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
  • Niedrige Gerätekapazitäten
  • Kommutierungsrobuste, schnelle Body-Diode mit niedrigem Qfr
  • Geringe Abhängigkeit von RDS(on) von der Temperatur
  • Benchmark 4,5 V Gate-Schwellenspannung VGS(th)
  • Erstklassig bei Schalt- und Leitungsverlusten
  • Crss.XT-Verbindungstechnologie für eine erstklassige Wärmeleistung
  • IGBT-kompatibler Antrieb von +18 V
  • Schwellwertfreie Durchlasseigenschaften
  • Hoher Wirkungsgrad für reduzierten Kühlaufwand
  • Lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit
  • Erhöhte Leistungsdichte
  • Empfohlener Gate-Ansteuerspannungsbereich: 0 V bis 18 V
  • Temperaturunabhängige Schaltverluste
  • Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
  • PG-TO263‑7- und PG-HSOF-8-Gehäuseoptionen
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
  • Kurzschluss- und Avalanche-Robustheit, 100 % Avalanche-getestet
  • Bleifrei, RoHS-konform und Halogen-frei

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SNT)
  • Energiespeicherung, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Batterieformatierung
  • Solar-PV-Wechselrichter
  • Audiowiedergabe der Klasse D
  • Motorantriebe
Infineon Technologies CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs

Applikationsinfos

  • AN_1909_PL52_1910_201256 - Isolierte Gate-Treiberlösungen: Erhöhung der Leistungsdichte und Robustheit mit isolierten Gate-Treiber-ICs

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Veröffentlichungsdatum: 2024-08-16 | Aktualisiert: 2025-12-15