SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Ergebnisse: 45

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Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 16.02 CHF
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IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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198Auf Lager

16.02 CHF

11.97 CHF

10.34 CHF

9.79 CHF

9.16 CHF

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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11.30 CHF
235Auf Lager
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IMY120R036AM2HXKSA1

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726-IMY120R036AM2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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235Auf Lager

11.30 CHF

8.60 CHF

7.16 CHF

6.39 CHF

5.97 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 35.92 CHF
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480erwartet ab 09.07.2026
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IMZC120R007M2HXKSA1

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300Auf Lager

480erwartet ab 09.07.2026

35.92 CHF

30.64 CHF

25.28 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11.02 CHF
192Auf Lager
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IMY120R036CM2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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192Auf Lager

11.02 CHF

8.40 CHF

7.00 CHF

6.23 CHF

5.83 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 38.90 CHF
618Auf Lager
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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Cut-Tape

38.90 CHF

33.18 CHF

27.38 CHF

Reel

27.38 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.67 CHF
1 615Auf Lager
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IMZC120R022M2HXKSA1

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Datenblatt

1 615Auf Lager

13.67 CHF

8.43 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12.71 CHF
1 832Auf Lager
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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726-IMCQ120R026M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1 832Auf Lager

Cut-Tape

12.71 CHF

9.67 CHF

8.06 CHF

7.18 CHF

Reel

6.71 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9.79 CHF
255Auf Lager
750erwartet ab 23.07.2026
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IMCQ120R040M2HXTMA1

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726-IMCQ120R040M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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255Auf Lager

750erwartet ab 23.07.2026

Cut-Tape

9.79 CHF

7.08 CHF

5.90 CHF

5.26 CHF

Reel

4.91 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7.79 CHF
345Auf Lager
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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726-IMCQ120R053M2HXT

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345Auf Lager

Cut-Tape

7.79 CHF

5.22 CHF

3.92 CHF

3.63 CHF

Reel

3.60 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7.33 CHF
869Auf Lager
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Datenblatt

869Auf Lager

Cut-Tape

7.33 CHF

5.15 CHF

4.17 CHF

3.71 CHF

Reel

3.28 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 19.93 CHF
712Auf Lager
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R026M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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712Auf Lager

Cut-Tape

19.93 CHF

14.20 CHF

12.63 CHF

11.94 CHF

Reel

11.94 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 16.84 CHF
670Auf Lager
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R040M2HHX

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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670Auf Lager

Cut-Tape

16.84 CHF

12.58 CHF

10.88 CHF

10.30 CHF

Reel

9.63 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 14.66 CHF
283Auf Lager
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IMSQ120R053M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R053M2HHX

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Datenblatt

283Auf Lager

Cut-Tape

14.66 CHF

11.17 CHF

9.31 CHF

8.30 CHF

Reel

7.75 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 22.88 CHF
125Auf Lager
240erwartet ab 06.01.2027
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IMZA120R012M2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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125Auf Lager

240erwartet ab 06.01.2027

22.88 CHF

15.77 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 18.21 CHF
147Auf Lager
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IMZA120R017M2HXKSA1

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726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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147Auf Lager

18.21 CHF

13.59 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 15.14 CHF
341Auf Lager
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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Datenblatt

341Auf Lager

15.14 CHF

9.85 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 21.11 CHF
210Auf Lager
720Auf Bestellung
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IMZC120R012M2HXKSA1

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726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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Datenblatt

210Auf Lager

720Auf Bestellung

21.11 CHF

13.72 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 17.55 CHF
244Auf Lager
480erwartet ab 08.07.2026
Neues Produkt

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IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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Datenblatt

244Auf Lager

480erwartet ab 08.07.2026

17.55 CHF

11.96 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.54 CHF
483Auf Lager
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Herst. Teilenr.
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R026M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Datenblatt

483Auf Lager

13.54 CHF

8.77 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9.94 CHF
1 036Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R034M2HXKSA1

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726-IMZC120R034M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Datenblatt

1 036Auf Lager

9.94 CHF

5.97 CHF

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.06 CHF
754Auf Lager
Neues Produkt

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IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R053M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Datenblatt

754Auf Lager

8.06 CHF

4.75 CHF

4.02 CHF

4.01 CHF

3.95 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 28.60 CHF
1 073Auf Lager
1 000erwartet ab 15.10.2026

Herst. Teilenr.
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Datenblatt

1 073Auf Lager

1 000erwartet ab 15.10.2026

Cut-Tape

28.60 CHF

21.47 CHF

Reel

21.47 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 15.26 CHF
3 317Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

3 317Auf Lager

Cut-Tape

15.26 CHF

10.87 CHF

9.69 CHF

9.57 CHF

Reel

9.05 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
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: 750

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
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Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 120

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

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8.1 A
14.9 A
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52 A
55 A
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69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W