CoolSiC™ 650  V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 798Auf Lager
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: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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813Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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709Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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644Auf Lager
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: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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218Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 309Auf Lager
750erwartet ab 24.04.2026
MouseReel verfügbar
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: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 613Auf Lager
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: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
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6 403Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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360Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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950Auf Lager
Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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285Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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279Auf Lager
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: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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580Auf Lager
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: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 399Auf Lager
1 800erwartet ab 24.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 806Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
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1 008Auf Lager
1 800Auf Bestellung
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
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1 664Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 279Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 775Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 773Auf Lager
Min.: 1
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: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 900Auf Lager
Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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918Auf Lager
2 000erwartet ab 04.05.2026
Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 748Auf Lager
Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 912Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 349Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement