Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module
Die HybridPACK ™ Drive G2 Module von Infineon Technologies sind kompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid - und Elektrofahrzeugen. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Leistungsniveaus unter Verwendung von Si- oder SiC-Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Die im Jahr 2017 eingeführte Modul mit Silizium-EDT2-Technologie wurde für mehr Effizienz im realen Fahrbetrieb optimiert. Im Jahr 2021 wurde eine CoolSiC™ -Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und bessere Leistung bietet. Im Jahr 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3- (Si IGBT) und CoolSiC™ G2-MOSFET-Technologien auf den Markt gebracht, die eine einfache Nutzung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bietet und eine Leistung von bis zu 300 kW in den Klassen 750 V und 1.200 V ermöglicht.
Merkmale
- HybridPACK Drive G2 Si IGBT
- EDT3 750 V und EDT(1) 1.200 V Technologien mit verbesserten Wärmestapeln
- Die langen AC-Laschen sind optional, um Strommessung zu ermöglichen
- Geringerer AC-Durchgangswiderstand und verbesserte Dicke der Laschen (1,5 mm)
- Verbesserter Stiftniet gewährleistet hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- PinFin-Grundplatte für direkte Kühlung
- Die-Attach-Technologie mit Sinterung
- Hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- Unterstützt ununterbrochene Betriebstemperatur bei +175 °C und Spitze bei +185 °C (FS1150, FS1300)
- 900 ARMS kontinuierlich möglich (1.Gen. ~ 550 ARMS)
- Verbesserte Wärmeleitfähigkeit
- Erhöhte Haltbarkeit, insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen.
- HybridPACK Drive G2 SiC
- ATV CoolSiC™ Trench MOSFET Gen2
- Verbessertes Gehäuse (gesintert, Hochleistungskeramik)
- PinFin-Grundplatte für direkte Kühlung
- Unterstützt eine kontinuierliche Betriebstemperatur von +175 °C.
- Unterstützt Spitzenbetriebstemperaturen von bis zu +190 °C
- Verbesserter Stiftniet
- Hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- Die langen AC-Laschen sind optional, um Strommessung zu ermöglichen
- Geringerer AC-Durchgangswiderstand und niedrigere Temperatur der Laschen
- Hervorragende Zuverlässigkeit bei Gate-Oxid und kosmischer Strahlung
- Ermöglicht die Entwicklung einer skalierbaren Wechselrichterplattform
- Reduziert Wechselrichterverluste um 2/3 im Vergleich zu modernen IGBT-Lösungen
- Betrieb mit einem Spitzenstrom bis zu 900 ARMS mit verbesserten Produkten
Applikationen
- Automobil-Applikationen
- (Hybrid)-Elektrofahrzeuge (H)EVs
- Motorantriebe
- Vernetzte autonome Fahrzeuge (CAVs)
Videos
Portfolio
Gehäuseverbesserungen
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| FS1150R08A8P3CHPSA1 |  |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module |
| FS01MR08A8MA2CHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
| FS1000R08A7P3BHPSA1 | |
MOSFET-Module HybridPACK Drive G2 module |
| FS410R12A7P1BHPSA1 | |
MOSFET-Module HybridPACK Drive G2 module |
| FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
| FS1150R08A8P3LMCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS520R12A8P1LBHPSA1 | |
IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-09
| Aktualisiert: 2025-09-25