DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

Arten von diskreten Halbleitern

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Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 815Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 3 396Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 238Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2

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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
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MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 4 685Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 524Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 980Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE 7 754Auf Lager
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE 1 750Auf Lager
2 500erwartet ab 02.07.2026
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Rolle: 2 500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 2 027Auf Lager
1 200erwartet ab 30.04.2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 457Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 5 077Auf Lager
3 000erwartet ab 06.03.2026
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Rolle: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 5 772Auf Lager
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Rolle: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 220Auf Lager
175erwartet ab 09.04.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 40 A 3-level IGBT module 9Auf Lager
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IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 50 A 3-level IGBT module 14Auf Lager
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IGBT Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 95Auf Lager
240erwartet ab 24.02.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 699Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES 420Auf Lager
1 500erwartet ab 12.03.2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES 654Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 28Auf Lager
2 500erwartet ab 06.03.2026
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Rolle: 2 500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 229Auf Lager
240erwartet ab 12.03.2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 305Auf Lager
240erwartet ab 24.02.2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3