Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.

Merkmale

120V to 950V drain-source breakdown voltage
24mΩ to 4.5Ω R_DS(ON) drain-source resistance

1.5A to 101A continuous drain current
0.5W to 291W power dissipation

600 V CoolMOS P7-MOSFETs

Infineon 600 V CoolMOS P7-MOSFETs sind Bauteile der 7. Generation und verwenden eine revolutionäre Technologie für Leistungs-MOSFETs mit hoher Spannung. Die Transistoren sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt. Der 600 V CoolMOS P7 kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit. Die 600 V P7 besitzen eine sehr niedrige Überschwingungstendenz, gegen harte Kommutierung besonders widerstandsfähige Body-Dioden und hervorragende ESD-Fähigkeit. Durch die äußerst niedrigen Leitungs- und Schaltverluste werden Schaltapplikationen noch wirkungsvoller, kompakter und kühler.

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700 V CoolMOS P7-MOSFETs

Infineon Technologies 700 V CoolMOS™ P7-MOSFETs zeichnen sich durch eine revolutionäre Technologie für Leistungs-MOSFETs mit hoher Spannung aus. Die 700 V sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt. Die neuesten 700 V CoolMOS P7 gehören zu einer optimierten Plattform, die auf kostengünstige Applikationen für Verbrauchermärkte wie Ladegeräte, Adapter, Beleuchtung, Fernseher und vieles mehr zugeschnitten ist.

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800 V CoolMOS P7-MOSFETs

Infineon 800 V CoolMOS P7-MOSFETs kombinieren eine erstklassige Leistungsfähigkeit mit Benutzerfreundlichkeit. Die P7 setzen neue Maßstäbe in der 800V-Superjunction-Technologie. Die Transistoren bieten eine Effizienzgewinnung von bis zu 0,6 % und eine 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur.

Diese Transistoren bieten optimierte Geräteparameter wie über 50% weniger Eoss und Qg und reduzierte Ciss und Coss. Die Coolmos P7 ermöglichen auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch weniger Schaltverluste und bessere DPAK RDS(on)-Produkte. Die CoolMOS P7 sind perfekt geeignet für stromsparende SNT-Applikationen.

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950V CoolMOS™ P7 SJ-MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™P7 SJ-MOSFETs verfügen über 950 V Super-Junction-Technologie und vereinen eine erstklassige Leistung mit hochmoderner Benutzerfreundlichkeit. Diese MOSFETs sind mit einem integrierten ESD-Schutz (Zener Diode Electrostatic Discharge) ausgestattet. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit, reduziert den ESD-bedingten Ertragsverlust und bietet außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Diese MOSFETs bieten 3 V VGS(th) und eine enge Toleranz von nur ±0,5 V, was den Antrieb und das Design-in einfach macht. Die 950-V-SJ-MOSFETs bieten eine niedrige DPAK RDS(on), die eine höhere Dichte ermöglicht und gleichzeitig die BOM- und Montagekosten verringert.

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