DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Konfiguration If - Durchlassstrom Vrrm - Periodische Sperrspannung Vf - Durchlassspannung Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Ir - Sperrstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 238Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 15 A 1.2 kV 1.4 V 170 A 8 uA - 55 C + 175 C IDW15G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES 7 220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 34 A 650 V 1.25 V 82 A 1.6 uA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 4 685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDH10G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 524Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 1.2 kV 1.65 V 140 A 5.5 uA - 55 C + 175 C IDH16G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 980Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 198 A 8.5 uA - 55 C + 175 C IDH20G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE 7 754Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDM05G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE 1 750Auf Lager
2 500erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDM10G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 2 027Auf Lager
1 200erwartet ab 30.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 17 uA - 55 C + 175 C IDW30G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 699Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 37 A 1.2 uA - 55 C + 175 C IDH02G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES 420Auf Lager
1 500erwartet ab 12.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.25 V 29 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES 654Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 38 A 600 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 28Auf Lager
2 500erwartet ab 06.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDM08G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 229Auf Lager
240erwartet ab 12.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDW10G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE 305Auf Lager
240erwartet ab 24.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.4 V 190 A 12 uA - 55 C + 175 C IDW20G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE
22 212Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 37 A 1.2 uA - 55 C + 175 C IDM02G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE
997erwartet ab 23.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDH08G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE
480erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDW40G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE
1 000erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDH05G120C5 Tube