SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

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Ergebnisse: 30

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Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.25
651Auf Lager

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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Datenblatt

651Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.25

CHF 7.03

CHF 6.09

CHF 5.59

Reel

CHF 4.78

CHF 4.75

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.76
1 148Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R090M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

1 148Auf Lager

Cut-Tape

CHF 4.76

CHF 3.64

CHF 3.16

CHF 3.10

Reel

CHF 2.77

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.37
345Auf Lager

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IMBG120R060M1HXTMA1

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726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

345Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.37

CHF 5.08

CHF 4.08

CHF 4.07

Reel

CHF 3.46

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 3.82
444Auf Lager

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IMZA65R107M1HXKSA1

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726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

444Auf Lager

CHF 3.82

CHF 2.75

CHF 2.43

CHF 2.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 3.85
1 121Auf Lager
4 000erwartet ab 21.05.2026

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IMBF170R1K0M1XTMA1

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726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Datenblatt

1 121Auf Lager

4 000erwartet ab 21.05.2026

Cut-Tape

CHF 3.85

CHF 2.54

CHF 1.91

CHF 1.73

Reel

CHF 1.43

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.72
1 827Auf Lager
1 250erwartet ab 19.03.2026

Herst. Teilenr.
IMBF170R450M1XTMA1

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726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Datenblatt

1 827Auf Lager

1 250erwartet ab 19.03.2026

Cut-Tape

CHF 4.72

CHF 3.52

CHF 2.57

Reel

CHF 2.18

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.46
179Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R030M1HXTMA1

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726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

179Auf Lager

Cut-Tape

CHF 11.46

CHF 8.05

CHF 7.18

Reel

CHF 6.09

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.52
594Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R140M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

594Auf Lager

Cut-Tape

CHF 5.52

CHF 4.03

CHF 3.27

CHF 2.90

Reel

CHF 2.49

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.14
830Auf Lager
1 000erwartet ab 26.02.2026

Herst. Teilenr.
IMBG120R350M1HXTMA1

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726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

830Auf Lager

1 000erwartet ab 26.02.2026

Cut-Tape

CHF 4.14

CHF 2.75

CHF 2.19

CHF 1.94

Reel

CHF 1.66

CHF 1.56

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.47
176Auf Lager
240erwartet ab 26.02.2026

Herst. Teilenr.
IMW120R030M1HXKSA1

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726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Datenblatt

176Auf Lager

240erwartet ab 26.02.2026

CHF 9.47

CHF 6.82

CHF 6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.98
1 180Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW120R090M1HXKSA1

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726-IMW120R090M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Datenblatt

1 180Auf Lager

CHF 5.98

CHF 3.73

CHF 3.16

CHF 3.15

CHF 2.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.35
1 004Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW120R220M1HXKSA1

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726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Datenblatt

1 004Auf Lager

CHF 4.35

CHF 2.77

CHF 2.31

CHF 2.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 12.01
840Auf Lager

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IMZ120R030M1HXKSA1

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726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Datenblatt

840Auf Lager

CHF 12.01

CHF 8.04

CHF 7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.72
222Auf Lager
720erwartet ab 30.07.2026

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IMZA65R027M1HXKSA1

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726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

222Auf Lager

720erwartet ab 30.07.2026

CHF 10.72

CHF 6.51

CHF 5.71

CHF 5.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 6.69
332Auf Lager

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IMZA65R048M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

332Auf Lager

CHF 6.69

CHF 4.25

CHF 3.64

CHF 3.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.31
153Auf Lager
240erwartet ab 23.02.2026

Herst. Teilenr.
IMW65R027M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

153Auf Lager

240erwartet ab 23.02.2026

CHF 10.31

CHF 6.25

CHF 5.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.65
57Auf Lager
1 000erwartet ab 16.02.2026

Herst. Teilenr.
IMBG120R220M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R220M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

57Auf Lager

1 000erwartet ab 16.02.2026

Cut-Tape

CHF 4.65

CHF 3.17

CHF 2.44

CHF 2.26

Reel

CHF 1.89

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.52
255Auf Lager
240erwartet ab 13.08.2026

Herst. Teilenr.
IMW120R060M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Mehr erfahren

Datenblatt

255Auf Lager

240erwartet ab 13.08.2026

CHF 7.52

CHF 4.43

CHF 3.76

CHF 3.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.56
422Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW120R140M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Datenblatt

422Auf Lager

CHF 5.56

CHF 3.20

CHF 2.68

CHF 2.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.34
68Auf Lager
240erwartet ab 16.02.2026

Herst. Teilenr.
IMW120R350M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Datenblatt

68Auf Lager

240erwartet ab 16.02.2026

CHF 4.34

CHF 2.65

CHF 2.21

CHF 1.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.84
300Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW65R072M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

300Auf Lager

CHF 5.84

CHF 3.06

CHF 2.78

CHF 2.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 4.68
251Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW65R107M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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Datenblatt

251Auf Lager

CHF 4.68

CHF 2.72

CHF 2.46

CHF 2.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.88
173Auf Lager
960erwartet ab 07.05.2026

Herst. Teilenr.
IMZ120R060M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Datenblatt

173Auf Lager

960erwartet ab 07.05.2026

CHF 7.88

CHF 5.26

CHF 4.83

CHF 3.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
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240erwartet ab 12.02.2026

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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CHF 6.22

CHF 4.38

CHF 3.65

CHF 3.26

CHF 2.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.21
80Auf Lager
480erwartet ab 05.08.2026

Herst. Teilenr.
IMZ120R220M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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CHF 5.21

CHF 3.02

CHF 2.52

CHF 2.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

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