SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Ergebnisse: 30

Angewendete Filter:

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Alle zurücksetzen

Suche innerhalb der Ergebnisse

Auf Lager

Normalerweise auf Lager

Aktiv

Neue Produkte

RoHS-konform

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10.20 CHF
641Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R045M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

641Auf Lager

Cut-Tape

10.20 CHF

7.14 CHF

6.21 CHF

6.05 CHF

Reel

5.65 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7.75 CHF
329Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R060M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

329Auf Lager

Cut-Tape

7.75 CHF

5.02 CHF

4.20 CHF

Reel

3.94 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 4.17 CHF
370Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMZ120R350M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

370Auf Lager

4.17 CHF

2.77 CHF

2.36 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 4.53 CHF
437Auf Lager
End-of-Life-Produkt

Herst. Teilenr.
IMZA65R107M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R107M1HXKS

End-of-Life-Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datenblatt

437Auf Lager

4.53 CHF

3.03 CHF

2.65 CHF

2.64 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.32 CHF
434Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
IMW65R072M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

434Auf Lager

6.32 CHF

3.78 CHF

3.18 CHF

2.95 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 5.75 CHF
3 615Auf Lager
3 000Auf Bestellung

Herst. Teilenr.
IMBF170R450M1XTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

3 615Auf Lager

3 000Auf Bestellung

Cut-Tape

5.75 CHF

3.88 CHF

2.82 CHF

2.67 CHF

Reel

2.50 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 4.85 CHF
1 941Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBF170R650M1XTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

1 941Auf Lager

Cut-Tape

4.85 CHF

3.22 CHF

2.33 CHF

2.13 CHF

Reel

1.99 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12.50 CHF
775Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R030M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

775Auf Lager

Cut-Tape

12.50 CHF

10.18 CHF

8.48 CHF

8.14 CHF

Reel

7.05 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6.05 CHF
934Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R090M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

934Auf Lager

Cut-Tape

6.05 CHF

4.55 CHF

3.41 CHF

3.39 CHF

Reel

3.10 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.90 CHF
2 000Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R140M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

2 000Auf Lager

Cut-Tape

5.90 CHF

3.83 CHF

2.90 CHF

2.80 CHF

Reel

2.62 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 4.53 CHF
1 379Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R350M1HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt

1 379Auf Lager

Cut-Tape

4.53 CHF

3.02 CHF

2.17 CHF

1.96 CHF

Reel

1.84 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.42 CHF
228Auf Lager
720erwartet ab 24.08.2026

Herst. Teilenr.
IMZ120R030M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

228Auf Lager

720erwartet ab 24.08.2026

13.42 CHF

8.27 CHF

7.58 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7.16 CHF
369Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMZ120R140M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

369Auf Lager

7.16 CHF

4.46 CHF

4.01 CHF

3.14 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11.68 CHF
1 300Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
IMW65R027M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

1 300Auf Lager

11.68 CHF

8.92 CHF

7.05 CHF

6.54 CHF

6.36 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7.81 CHF
467Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
IMW65R048M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

467Auf Lager

7.81 CHF

5.51 CHF

4.59 CHF

4.09 CHF

3.83 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.25 CHF
480erwartet ab 11.06.2026

Herst. Teilenr.
IMW120R030M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Mehr erfahren

Datenblatt

480erwartet ab 11.06.2026

13.25 CHF

8.35 CHF

7.67 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.03 CHF
388Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMW120R140M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Mehr erfahren

Datenblatt

388Auf Lager

6.03 CHF

3.71 CHF

3.11 CHF

2.88 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.04 CHF
417Auf Lager
480erwartet ab 25.06.2026

Herst. Teilenr.
IMW120R350M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Mehr erfahren

Datenblatt

417Auf Lager

480erwartet ab 25.06.2026

5.04 CHF

2.86 CHF

2.39 CHF

2.10 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.93 CHF
26Auf Lager
960Auf Bestellung

Herst. Teilenr.
IMZ120R060M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

26Auf Lager

960Auf Bestellung

8.93 CHF

5.77 CHF

4.92 CHF

4.47 CHF

4.46 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7.85 CHF
199Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMZ120R090M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R090M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

199Auf Lager

7.85 CHF

5.02 CHF

4.10 CHF

3.68 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.29 CHF
48Auf Lager
1 920Auf Bestellung

Herst. Teilenr.
IMZ120R220M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

48Auf Lager

1 920Auf Bestellung

6.29 CHF

3.92 CHF

3.21 CHF

2.80 CHF

2.69 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.63 CHF
342Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
IMW65R107M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

342Auf Lager

5.63 CHF

3.22 CHF

2.69 CHF

2.41 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12.07 CHF
18Auf Lager
1 200Auf Bestellung
NRND

Herst. Teilenr.
IMZA65R027M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

18Auf Lager

1 200Auf Bestellung

12.07 CHF

9.19 CHF

7.66 CHF

6.82 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.13 CHF
29Auf Lager
240erwartet ab 29.04.2027
NRND

Herst. Teilenr.
IMZA65R048M1HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mehr erfahren

Datenblatt

29Auf Lager

240erwartet ab 29.04.2027

8.13 CHF

5.28 CHF

4.22 CHF

3.99 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 4.23 CHF
11 000erwartet ab 02.07.2026

Herst. Teilenr.
IMBF170R1K0M1XTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

11 000erwartet ab 02.07.2026

Cut-Tape

4.23 CHF

2.81 CHF

2.29 CHF

1.91 CHF

Reel

1.66 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™-MOSFETs

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms