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IMBG120R045M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R045M1HXT
Price: 9.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG120R045M1HXT

Herst.- Nr.:

IMBG120R045M1HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt:

IMBG120R045M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.25	CHF 9.25
	CHF 7.03	CHF 70.30
	CHF 6.09	CHF 609.00
	CHF 5.59	CHF 2 795.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 4.78	CHF 4 780.00
	CHF 4.75	CHF 9 500.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.1 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	227 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 1200V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Artikel # Aliases:	IMBG120R045M1H SP005349829

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Datenblatt

IMBG120R045M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.