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IMBG120R350M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R350M1HXT
Price: 4.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG120R350M1HXT

Herst.- Nr.:

IMBG120R350M1HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt:

IMBG120R350M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.53 CHF	4.53 CHF
	3.02 CHF	30.20 CHF
	2.34 CHF	234.00 CHF
	2.07 CHF	1 035.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1.84 CHF	1 840.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	4.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	468 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.1 V
Qg - Gate-Ladung:	5.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.2 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	0.7 ns
Serie:	CoolSiC 1200V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.3 ns
Artikel # Aliases:	IMBG120R350M1H SP004463802

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Datenblatt

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.