Vishay SISS94DN ThunderFET®-MOSFET
Der Vishay SISS94DN ThunderFET®-MOSFET ist ein 200-VDS-n-Kanal-Bauteil, das den TrenchFET® mit der ThunderFET-Technologie verwendet. Dieser ThunderFET®-MOSFET optimiert den Ausgleich von RDS(on), Qg, Qsw und Qoss. Das Bauteil ist vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) Dieser SISS94DN MOSFET ist in einem PowerPak-1212-8S-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei (Pb) und halogenfrei (SiSS94DN-T1-GE3). Der MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einer einzigen Konfiguration verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören primärseitige Schaltung, Synchrongleichrichtung, DC/DC-Topologien, Beleuchtung, Lastschalter und Motorantriebssteuerung.
Merkmale
- TrenchFET® mit ThunderFET-Technologie optimiert den Ausgleich von RDS(on), QG, Qsw und Qoss
- Führender RDS(on)
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Applikationen
- Primärseitige Schaltung
- Synchrongleichrichtung
- DC/DC-Topologien
- Beleuchtung
- Lastschalter
- Aufwärtswandler
- Motorantriebssteuerung
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung (VDS): 200 V
- Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)):
- 0,075 Ω max. bei VGS = 10 V
- 0,078 Ω max. bei VGS = 7,5 V
- Gesamt-Gate-Ladung (Qg): 11 nC (typisch)
- Ausgangsladung (Qoss): 29 nC (typisch)
- Dauersenkenstrom (ID): 19,5 A
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Typische Ausgangseigenschaften
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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-25
| Aktualisiert: 2024-12-23