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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 1.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISS94DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISS94DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Datenblatt:

SISS94DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.16	CHF 1.16
	CHF 0.731	CHF 7.31
	CHF 0.484	CHF 48.40
	CHF 0.379	CHF 189.50
	CHF 0.345	CHF 345.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.323	CHF 969.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8SH-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	SISS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	488.500 mg

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SISS94DN ThunderFET®-MOSFET

Der Vishay SISS94DN ThunderFET^®-MOSFET ist ein 200-V^DS-n-Kanal-Bauteil, das den TrenchFET® mit der ThunderFET-Technologie verwendet. Dieser ThunderFET^®-MOSFET optimiert den Ausgleich von R_DS(on), Q_g, Q_sw und Q_oss. Das Bauteil ist vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) Dieser SISS94DN MOSFET ist in einem PowerPak-1212-8S-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei (Pb) und halogenfrei (SiSS94DN-T1-GE3). Der MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einer einzigen Konfiguration verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören primärseitige Schaltung, Synchrongleichrichtung, DC/DC-Topologien, Beleuchtung, Lastschalter und Motorantriebssteuerung.

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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