Vishay SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs
Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET-MOSFETs verwenden TrenchFET® mit ThunderFET-Technologie, die den Ausgleich von RDS, QG, QSW, und QOSS optimiert. Diese MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching) Die SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs sind für Applikationen für die Primärseiten-Schaltung, Synchrongleichschaltung, DC/DC-Wandler, Motorantriebssteuerung und Lastschalter geeignet. Diese MOSFETs sind im PowerPAK 1212-8S-Gehäuse verfügbar.
Applikationen
- Primärseitige Schaltung
- Synchrongleichrichtung
- DC/DC-Wandler
- Motorantriebssteuerung
- Lastschalter
SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs Schaltdiagramm
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Qg - Gate-Ladung | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Transistorart |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SISS72DN-T1-GE3 |  |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 150 V | 25.5 A | 22 nC | 42 mOhms | 1 N-Channel |
| SISS70DN-T1-GE3 | |
MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 125 V | 31 A | 15.3 nC | 29.8 mOhms | 1 N-Channel |
Veröffentlichungsdatum: 2018-08-21
| Aktualisiert: 2023-03-06