SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET-MOSFETs verwenden TrenchFET® mit ThunderFET-Technologie, die den Ausgleich von RDS, QG, QSW, und QOSS optimiert. Diese MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching) Die SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs sind für Applikationen für die Primärseiten-Schaltung, Synchrongleichschaltung, DC/DC-Wandler, Motorantriebssteuerung und Lastschalter geeignet. Diese MOSFETs sind im PowerPAK 1212-8S-Gehäuse verfügbar.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Datenblatt
6 619Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25.5 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Datenblatt
8 990Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 125 V 31 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel