Neu MOSFET-Module

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module sind hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind. Diese MOSFET-Module nutzen fortschrittliche MOSFET-basierte Schaltungen, um Transienten und Leitungsverluste zu minimieren und einen Wirkungsgrad von bis zu 99,5 % zu erreichen. Die i1R ORing-MOSFET-Module gehen kritische Herausforderungen im Bereich Wärmemanagement und Leistungsdichte, insbesondere in Hochstromsystemen, an. Diese MOSFET-Module bieten einen kompakten, abgeschirmten Formfaktor, der einen Ausgangsstrom von bis zu 80 A mit minimaler Leistungsreduzierung unterstützt und somit eine zuverlässige Leistung in platzbeschränkten Umgebungen ermöglicht. Die i1R MOSFET-Module zeichnen sich durch einen großen Eingangsspannungsbereich, ein schnelles Abschalten bei Fehlerbedingungen und ein branchenübliches Gehäuse aus. Typische Applikationen umfassen Robotik, Rundfunk, batteriebetriebene Geräte, Industrie und Kommunikation.
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TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-ModuleHocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.05.02.2026 -
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-ModuleVerfügen über die PressFIT-Kontakttechnologie und einen integrierten NTC-Temperatursensor.09.10.2025 -
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-LeistungsmodulBietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.26.09.2025 -
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug LeistungsmodulBietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.26.09.2025 -
SemiQ GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-LeistungsmoduleWith an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.11.08.2025 -
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-ModulDas Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.23.05.2025 -
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-LeistungsmoduleAutomotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.14.05.2025 -
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-LeistungsmoduleAusgelegt, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich zu verbessern.17.03.2025 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.20.02.2025 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETsBieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.28.11.2024 -
onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-ModuleEnthält 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ und 30 mΩ/ 1200 V M3S MOSFETs, die auf der Halbbrücken-Topologie basieren.28.08.2024 -
onsemi NVVR26A120M1WSx Siliziumkarbid(SiC)-ModuleTeil von VE-Trac™ hochintegrierte B2-SiC-Leistungsmodule für EV/HEV-Traktionswechselrichter-Applikationen.14.08.2024 -
Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET-HalbbrückemoduleAusgelegt für Applikationen mit 1,7 kV bis 3,3 kV zur Maximierung der Strombelastbarkeit.09.08.2024 -
Wolfspeed DM-SiC-HalbbrückenmoduleDiese Bauelemente bieten bei einer sehr niedrigen Masse und ind einem niedrigen Formfaktor mit niedrigem Volumen eine hohe Strombelastbarkeit.25.06.2024 -
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 ModuleKompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.18.06.2024 -
SemiQ GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-VollbrückenmoduleIdeal für Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.21.03.2024 -
SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-HalbbrückenmoduleGeringe Schaltverluste, niedriger thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und sehr robuste und einfache Montage.21.03.2024 -
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET-ModulKompaktes Zweiphasen-Dual-Halbbrücken- und Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V.04.03.2024 -
onsemi NXV08H300DT1 MOSFET-ModulKompakt gebautes Zweiphasen-Dual-Halbbrücken-Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V.04.03.2024 -
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSic LeistungsmoduleVerbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Gesamtleistung.08.02.2024 -
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC LeistungsmoduleBieten eine verbesserte Leistung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in einem kompakten und kompatiblen Gehäuse.08.02.2024 -
Infineon Technologies 1200 V CoolSiC™-M1H-ModuleBietet Möglichkeiten für Entwickler von Ladestationen für Elektrofahrzeuge und anderen Wechselrichtern.05.12.2023 -
onsemi EliteSiC Halbbrückenmodule NXH00xP120M3F2PTxGVerfügt über zwei 1200-V-SiC-MOSFET-Schalter mit 3 mΩ oder 4 mΩ und einen Thermistor mit HPS DBC oder Si3N4 DBC.23.11.2023 -
onsemi NXH008T120M3F2PTHG Siliziumkarbid (SiC) -ModulT-Typ neutralpunktgeklemmtes Wechselrichtermodul (TNPC) basierend auf den 1200V M3S-Planer-SiC-MOSFETs.09.11.2023 -
STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LAEntwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.19.10.2023 -
