Neu Diskrete Halbleiter
Vishay General Semiconductor SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers are engineered for robust performance in demanding power conversion applications. Designed with an oxide planar chip junction and housed in the eCool SMPD package, the Vishay SE30CLJ rectifiers support efficient top‑side cooling and ensure a minimum creepage distance of 4.3mm, enhancing electrical safety. These devices offer a maximum average forward current of 30A and a repetitive peak reverse voltage of 600V, well‑suited for high‑power rectification.
-
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage RectifiersDesigned for demanding power conversion applications03.02.2026 -
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage RectifiersEngineered for robust performance in demanding power conversion applications.03.02.2026
-
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener DiodeOffers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.03.02.2026 -
Vishay High Current Density/Voltage Schottky RectifiersDelivers robust performance for demanding power‑conversion applications.03.02.2026 -
Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-ÜbergangBietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.03.02.2026 -
IXYS X4-Class Power MOSFETsOffer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.02.02.2026 -
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.20.01.2026 -
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.20.01.2026 -
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.19.01.2026 -
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.19.01.2026 -
Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige DiodenSchützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.13.01.2026 -
Littelfuse SP432x-01WTG TVS-DiodenBieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.08.01.2026 -
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFETDieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).26.12.2025 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETsSetzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.23.12.2025 -
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFETEntwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.19.12.2025 -
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETsEntwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.19.12.2025 -
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETsDiese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.04.12.2025 -
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTORE-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.04.12.2025 -
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete TransistorenDTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.01.12.2025 -
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFETBietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.25.11.2025 -
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.25.11.2025 -
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS DiodeOffers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.24.11.2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETsDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24.11.2025 -
Bourns SMLJ-R TransientenspannungsschutzdiodenFür Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.24.11.2025 -
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETDas Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.20.11.2025