Neu IGBT-Module

Die 3-stufigen Wechselrichtermodule mit Neutralpunktklemmung (NPC) NXH600N10x von onsemi sind Leistungsmodule in F5BP und enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung. Die Hochleistungs-Leistungsmodule NXH600N10x sind für industrielle Anwendungen und erneuerbare Energieapplikationen optimiert. Diese Module kombinieren Field-Stop-Trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) und Fast-Recovery-Dioden (FRDs), um geringere Leitungs- und Schaltverluste zu erzielen. So können Designer einen hoheren Wirkungsgrad, höhere Leistung und überlegene Zuverlässigkeit erzielen. Die Module unterstützen Sperrspannungen von 1.000 V oder 1.050 V und verfügen über einen integrierten Thermistor zurTemperaturüberwachung, der skalierbare Systemdesigns unterstützt. Dank der robusten Bauweise, des kompakten Footprint und der hohen Zuverlässigkeit sind die Module NXH600N10x von onsemi hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen wie Solarwechselrichter, Motorantriebe und Energiespeichersysteme geeignet.
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onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-WechselrichtermoduleLeistungsmodule in F5BP enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung.25.08.2025 -
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBTMade for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.28.11.2024 -
onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule1.200 V, 800 A eingestuftes Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul, ideal für Motor-/Servo-/Solarantriebe und USV.26.08.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging SolutionsSupports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.01.08.2024 -
Infineon Technologies EasyPACK™ 2B-IGBT-LeistungsmoduleSkalierbare Leistungsmodullösung mit flexiblem Pin-Systemraster perfekt für die Anpassung des Layouts/Pinbelegung.31.07.2024 -
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 ModuleKompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.18.06.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) MIF400R065C2TL 650V/400A IGBT ModuleTwo-in-one module that combines dual IGBT devices and rugged performance in a C2 package.14.05.2024 -
onsemi NVH950S75L4SPx IGBT-LeistungsmoduleLeistungsstarke einseitige Dreiphasen-6-Pack-Automotive-Module mit direkter Kühlung und 750 V sowie 950 A.11.03.2024 -
onsemi NVH660S75L4SPFx 6-Pack-IGBT-ModuleEinseitige Kühlmodule mit flacher Grundplatte für einen implementierten Strom von 750 V und 660 A für Fahrzeuganwendungen.11.03.2024 -
onsemi NVH640S75L4SPx IGBT-ModuleEinseitige Automotive-Field-Stop-4(FS4)-6-Pack-Leistungsmodule von 750 V, 640 A mit direkter Kühlung.11.03.2024 -
Infineon Technologies XBee™ 2- und 3-IGBT-ModuleFür Hochleistungsapplikationen im Bereich von 1,7 kV bis 6,5 kV ausgelegt.19.01.2024 -
Littelfuse 1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit SchalldiodenEntwickelt mit XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und Trench-IGBT-Verfahren mit antiparallelen Schalldioden.18.10.2023 -
Vishay Halbbrücken-IGBTsVerfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Nennströme von 100 A, 150 A und 200 A.10.07.2023 -
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 62 mm IGBT4-Module der C-BaureiheAuf eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit für verschiedene Leistungsapplikationen ausgelegt.29.06.2023 -
onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G und Q0PACK LeistungsmoduleJedes Bauteil enthält eine am Neutralpunkt geklemmte (NPC) Drei-Ebenen-Wechselrichterstufe des T−Typs.08.04.2023 -
onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si-/SiC-HybridmoduleEnthält ein 1.200-V-Dreikanal-IGBT- und SiC-Aufwärtsmodul und einen NTC-Thermistor.08.04.2023 -
Infineon Technologies EasyPACK™ 1B-IGBT-LeistungsmoduleSkalierbares Leistungsmodul Lösung mit flexiblem Pin-System-Raster perfekt für die Anpassung des Layouts/Pinbelegung.28.02.2023 -
Infineon Technologies Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für RechenzentrenEine skalierbare Lösung mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW.07.02.2023 -
onsemi NXH800A100L4Q2F2xxG 3-Level-ANPC-Q2Pack-ModuleVerfügen über niedrige Schaltverluste zur Reduzierung der Systemverlustleistung und ein niedriges induktives Layout.10.01.2023 -
onsemi NXH600B100H4Q2F2SG Si-/SiC-HybridmodulEin symmetrisches Dreikanal-Aufwärts-Si-/SiC-Hybridmodul.10.01.2023 -
onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-HybridmodulDreikanal-Si-/SiC-Hybrid-Aufwärtsmodul mit fliegendem Kondensator.10.01.2023 -
Infineon Technologies 1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem EmitterKombiniert einen gemeinsamen 600 A oder 800 A Emitter & ein schnelles Trench-IGBT-Modul mit einer emittergesteuerten Diode.05.01.2023 -
Infineon Technologies FF1800R23IE7 PrimePACK™3+ Module der Baureihe BVerfügen über die TRENCHSTOP™-IGBT7-Technologie.22.11.2022 -
Infineon Technologies FS75R17W2E4P_B11 EasyPACK™-ModulVerfügt über einen Trench-/Fieldstop-IGBT4 und vier Emitter-gesteuerte Dioden mit PressFIT/NTC/TIM.26.10.2022 -
Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-KonfigurationsmoduleBasieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet.03.10.2022 -
