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Infineon Technologies 2000 V CoolSiC™-MOSFETs

Infineon Technologies 2000 V CoolSiC ™ MOSFETs sind Trench-MOSFETs in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse. Diese MOSFETs sind für eine erhöhte Leistungsdichte ausgelegt, ohne die Zuverlässigkeit des Systems zu beeinträchtigen, selbst unter anspruchsvollen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen. Die geringen Leistungsverluste der CoolSiC ™ -Technologie bieten eine erhöhte Zuverlässigkeit mit der .XT-Verbindungstechnologie und ermöglichen höchste Wirkungsgrade in verschiedenen Applikationen. Die 2000 V MOSFETs verfügen über eine Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und bieten sehr niedrige Schaltverluste. Zu den typischen Applikationen gehören Energiespeichersysteme, EV-Laden, string-Wechselrichter und Solarenergie-Optimierer.

Merkmale

  • Hohe Leistungsdichte
  • Sehr niedrige Schaltverluste
  • .XT-Verbindungstechnologie für eine erstklassige thermische Leistung
  • Hervorragende Zuverlässigkeit
  • Hoher Wirkungsgrad
  • Verbesserte Feuchtigkeitsbeständigkeit
  • Robuste Bodydiode für harte Kommutierung
  • Einfaches Design

Technische Daten

  • THT-Montage
  • 4 PINS
  • 2000 V VDSS für hohe DC-link-Systeme bis zu 1500 VDC
  • 4,5 V Benchmark-Gate-Schwellenspannung
  • Innovatives HCC-Gehäuse mit 14 mm-Kriechstrecke und 5,5 mm-Luftstrecken
  • -55 °C  bis 175 °C Betriebstemperaturbereich
  • 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur

Applikationen

  • Energiespeichersysteme
  • EV-Ladesysteme
  • String-Wechselrichter
  • Solarleistungsoptimierer

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Pin-Diagramm

Infineon Technologies 2000 V CoolSiC™-MOSFETs

Gehäuseumrisse

Technische Zeichnung - Infineon Technologies 2000 V CoolSiC™-MOSFETs

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Teilnummer Datenblatt Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Id - Drain-Gleichstrom Typische Einschaltverzögerungszeit Regelabschaltverzögerungszeit Anstiegszeit Abfallzeit Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.
IMYH200R012M1HXKSA1 IMYH200R012M1HXKSA1 Datenblatt 552 W 246 nC 16.5 mOhms 123 A 16 ns 50 ns 13 ns 24 ns 30 S
IMYH200R024M1HXKSA1 IMYH200R024M1HXKSA1 Datenblatt 576 W 137 nC 33 mOhms 89 A 19 ns 40 ns 11 ns 16 ns 20 S
IMYH200R075M1HXKSA1 IMYH200R075M1HXKSA1 Datenblatt 267 W 64 nC 98 mOhms 34 A 7 ns 26 ns 5 ns 7 ns 6.5 S
IMYH200R050M1HXKSA1 IMYH200R050M1HXKSA1 Datenblatt 348 W 82 nC 64 mOhms 48 A 17 ns 36 ns 9 ns 12 ns 10 S
IMYH200R100M1HXKSA1 IMYH200R100M1HXKSA1 Datenblatt 217 W 55 nC 131 mOhms 26 A 2 ns 21 ns 3 ns 5 ns 5 S
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-02 | Aktualisiert: 2023-08-29