Infineon Technologies CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.
Die CoolSiC™ 1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs sind in kompakten TO-247-3- und TO-247-4-Gehäusen untergebracht. Das TO-247-4-Gehäuse enthält eine zusätzliche Verbindung zur Quelle (Kelvin-Verbindung), die als Referenzpotenzial für die Gate-Treiberspannung verwendet wird, wodurch die Auswirkungen von Spannungsabfällen auf die Quelleninduktivität eliminiert werden. Das Ergebnis sind noch niedrigere Schaltverluste als bei der TO-247-3-Version, insbesondere bei höheren Strömen und Schaltfrequenzen.
Merkmale
- Sehr niedrige Schaltverluste
- Einschaltzustands-Eigenschaften ohne Schwellenwert
- Großer Gate-Source-Spannungsbereich
- Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
- Gate-Spannung beim Ausschalten: 0 V
- Vollständig steuerbarer dV/dt
- Robuste Kommutierungs-Bodydiode, bereit für die Synchrongleichrichtung
- Temperaturunabhängige Schaltverluste beim Abschalten
- Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
- Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
- IGBT-kompatibler Ansteuerung (+15 V)
- Schwellwertspannung, Vth und 4 V
- Kurzschlussfestigkeit
- Höchster Wirkungsgrad für reduzierten Kühlaufwand
- Höhere Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer
- Höherer Frequenzbetrieb
- Reduzierung der Systemkosten
- Höhere Leistungsdichte
- Geringere Systemkomplexität
- Einfaches Design und einfache Implementierung
Applikationen
- Photovoltaik-Inverter (PV)
- Energiespeicherung und Batterieladen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Schaltnetzteile (SNT)
- Industrieantriebe
- Medizintechnik
Development Tools
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Enthält zwei PCBs, einschließlich einer Treiberschaltung und einem Dreiphasen-Wechselrichter für Motorantriebs-Applikationen.
Infineon Technologies CoolSiC™-MOSFET-1.200-V-Evaluierungsplattform
Demonstriert die 45-mΩ -CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs und EiceDriver™ Gate-Treiber-ICs.
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