CoolSiC™ 1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs

CoolSiC™ -1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs von Infineon verfügen über ein revolutionäres Siliziumkarbid-Material, das für Flyback-Topologien optimiert ist. Die SiC-Trench-MOSFETs bieten eine 12-V/0-V-Gate-Quellenspannung, die mit den meisten Flyback-Controllern kompatibel ist.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
1 121Auf Lager
4 000erwartet ab 21.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
1 882Auf Lager
1 250erwartet ab 19.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
1 974erwartet ab 14.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC