SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname

IXYS SiC-MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
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548Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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651Auf Lager
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Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
783Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L
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1 757Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
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393Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1 629Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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686Auf Lager
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Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V
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1 230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
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1 326Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
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1 026Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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1 148Auf Lager
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Min.: 1
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Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1 494Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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477Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
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1 023Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
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690Auf Lager
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Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
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1 946Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
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65Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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1 182Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L
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500Auf Lager
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Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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1 021Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Datenblatt
1 595Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Datenblatt
314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
1 168Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement