IXYS MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
299Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Datenblatt
234Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
193Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Datenblatt
498Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 P-Channel 1 Channel 500 V 10 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Datenblatt
226Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 170 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Linear Extended FBSOA Power MOSFET
Datenblatt
420Auf Lager
1 380Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Datenblatt
1 005Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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547Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
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849Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
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209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
326Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 80A
Datenblatt
218Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Datenblatt
512Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Datenblatt
695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
693Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
Datenblatt
1 139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO247 3KV 1A N-CH POLAR
Datenblatt
438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 3 kV 1 A 50 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 30.6 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
265Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs -24 Amps -200V 0.15 Rds
Datenblatt
533Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Datenblatt
308Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement PolarHV Tube
IXYS MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
447Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
Datenblatt
410Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
Datenblatt
268Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFET
Datenblatt
196Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
Datenblatt
2 204Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube