IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™
IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe RDS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (QG) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.
Merkmale
- Hohe Leistungsdichte
- Leicht zu montieren
- Niedriger RDS(ON) und QG
- Temperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
- 20 Vgs und 2,5 Vgs(th)
- Avalanche-fähig
- dv/dt-Robustheit
- Si-Technologie
- Geringe Gehäuseinduktivität
- Schnelle Freilauf-Bodydiode
- Internationale Standardgehäuse
Applikationen
- Ladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge
- Synchrongleichrichtung in Schaltungen
- Netzteile
- Motorsteuerung
- DC/DC-Wandler
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Elektrische Gabelstapler
- Audioverstärker der Klasse D
- Telekommunikationssysteme
- Robotik- und Servosteuerungen
Mehr über
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Veröffentlichungsdatum: 2017-06-08
| Aktualisiert: 2023-01-17