Zum Hauptinhalt wechseln

+41 41 763 01 50

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +41 41 763 01 50 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXTQ10P50P

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ10P50P

Herst.- Nr.:

IXTQ10P50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

Datenblatt:

IXTQ10P50P Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXTQ10P50P

Auf Lager: 483

Lagerbestand:: 483 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 28 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8.41 CHF	8.41 CHF
	5.22 CHF	52.20 CHF
	4.17 CHF	500.40 CHF
	3.99 CHF	2 034.90 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	44 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28 ns
Serie:	IXTQ10P50
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXTQ10P50P Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

IXYS

X4-Class Leistungs-MOSFETs

Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den R_th(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.