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IXFH86N30T

Name: IXYS IXFH86N30T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH86N30T
Price: 11.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH86N30T

Herst.- Nr.:

IXFH86N30T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET

Datenblatt:

IXFH86N30T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	86 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	43 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	180 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	830 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	IXFH86N30
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFH86N30T Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Littelfuse kommerzielle und taktische UAV-Systeme bieten Lösungen für den Schutz von Li-Ionen-Akkus, Ladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme umfassen Sicherungen für den Eingangsschutz/Überstromschutz, MOSFETs für die Halbleiterschaltung und TVS-Dioden für den Schutz vor Transienten und Überspannungen am Gleichstromausgang. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten Batterieschutz >60 V und ermöglichen die Fehlerisolierung des Hauptakkus, die Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Vorladungsunterstützung) sowie den Überstromschutz für Abzweigstromkreise. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen UAV-Systeme von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Erdungsstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.