MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module MOSFET Module - Sixpack ISOPLUS-DIL
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 55 V 150 A - 15 V, + 15 V 3 V - 55 C + 175 C Tube
IXYS MOSFET-Module MOSFET Module - Sixpack ISOPLUS-DIL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 75 V 180 A 3.1 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 175 C Tube
IXYS MOSFET-Module ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
Datenblatt
Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 100 V 190 A 2.2 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 150 C Tube
IXYS MOSFET-Module MOSFET Module - Sixpack ISOPLUS-DIL
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 75 V 255 A 1.3 mOhms - 15 V, + 15 V 2.3 V - 55 C + 150 C Tube
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 80
Mult.: 80
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 225
Mult.: 225
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1700V, 250A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1200V, 400A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1700V, 400A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 600 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 2 kW Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC008H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 153 A 6.5 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 244 W Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC010H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 107 A 8.3 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 152 W Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC016H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 85 A 12.9 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 146 W Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC020H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 70 A 15.9 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 118 W Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC030H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 11 W Tray
WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC040H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

SiC Screw Mount WeEnPACK-B1 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 45 A 31.8 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V - 40 C + 150 C 105 W Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 28
Mult.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray