MOSFET-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 9
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-32 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 35 mOhms - 30 V, + 30 V 2.1 V - 40 C + 150 C 416 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 8
Mult.: 1

Si Screw Mount SP3F N-Channel 600 V 95 A 24 mOhms - 20 V, + 20 V 2.1 V, 5 V - 40 C + 125 C 462 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 11
Mult.: 1

Si Screw Mount SP3F N-Channel 600 V 49 A 45 mOhms - 20 V, + 20 V 2.1 V, 5 V - 40 C + 125 C 250 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 13
Mult.: 1

Si Screw Mount SP3F N-Channel 600 V 39 A 70 mOhms - 20 V, + 20 V 2.1 V, 5 V - 40 C + 125 C 250 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 15
Mult.: 1

Si Screw Mount SP3F N-Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 40 C + 125 C 110 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 1 kV 65 A 130 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 1.25 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 1 kV 215 A 45 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 5 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 372 A 4 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 1.25 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 13
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-32 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 140 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 208 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

Si SP6P Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-5-LP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

Si LP-8 5 mOhms
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 5
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6P N-Channel 700 V 349 A 6.4 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V - 40 C + 125 C 966 W Bulk
STMicroelectronics MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 132
Mult.: 132

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 156
Mult.: 156

Si Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 947 A 3.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3.75 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 805 A 3.1 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3.215 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 689 A 3.2 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 1.882 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount BL3 N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 179 A 11.7 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 843 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 122 A 17.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 588 W