MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 171 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 728 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 395 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 495 A 5.2 mOhms - 10 V, + 23 V - 40 C + 175 C 2.031 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3
Mult.: 1
SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V - 55 C + 175 C 310 W
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 82 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN100N50 Tube
IXYS MOSFET-Module 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 570 W IXFN102N30 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 17 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 690 W IXFN140N25 Tube
IXYS MOSFET-Module 138 Amps 300V 0.018 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 138 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN170N30 Tube
IXYS MOSFET-Module 200V 180A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 6 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 700 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN240N15 Tube
IXYS MOSFET-Module DiscMSFT NChUltrJnctX3Clas SOT-227B(mini
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.5 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 695 W Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 170 V 260 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 kW IXFN320N17 Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 28 A 320 mOhms - 30 V, + 30 V + 150 C 780 W IXFN32N1003 Tube
IXYS MOSFET-Module 29 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 29 A 270 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 625 W IXFN32N80 Tube
IXYS MOSFET-Module 1KV 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 36 A 240 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 700 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227B-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 37 A 165 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 900 V 43 A 160 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN52N90 Tube
IXYS MOSFET-Module 55 Amps 500V 0.08 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 55 A 90 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 625 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module DIODE Id54 BVdass800
Datenblatt
310erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 53 A 140 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW IXFN60N80 Tube
IXYS MOSFET-Module 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 65 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 mW Tube
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS MOSFET-Module MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel 500 V 68 A 55 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 780 W Tube