650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 27
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Datenblatt
531Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWA80H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Datenblatt
461Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si H2PAK-2 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
293Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 535 W - 55 C + 175 C AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
1 186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Datenblatt
4 435Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGW80H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Datenblatt
793Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Datenblatt
688Auf Lager
1 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40H65FB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
90Auf Lager
600erwartet ab 24.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V - 20 V, 20 V 30 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
1 138Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Datenblatt
406Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Datenblatt
492Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Datenblatt
1Auf Lager
600erwartet ab 10.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
464Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Datenblatt
848Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 30 V, 30 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40HP65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
317Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Datenblatt
14Auf Lager
300erwartet ab 10.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Datenblatt
564Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Datenblatt
42Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Datenblatt
209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Datenblatt
600erwartet ab 15.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Datenblatt
550erwartet ab 10.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube