STGWT60H65DFB

STMicroelectronics
511-STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 167

Lagerbestand:
167
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
600
erwartet ab 17.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
14
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
3.78 CHF 3.78 CHF
2.03 CHF 20.30 CHF
1.73 CHF 173.00 CHF
1.56 CHF 936.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT60H65DFB
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 60 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 300
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6,756 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99