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STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 5.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA80H65DFBAG

Herst.- Nr.:

STGWA80H65DFBAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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Datenblatt:

STGWA80H65DFBAG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	535 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6.100 g

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ECCN:: EAR99

650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce_(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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