HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
Datenblatt
Vorlaufzeit 31 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 150V 76A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 160A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 20 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 49 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 220Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 220 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 162 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 24 Amps 800V 0.4 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 26 Amps 1000V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube