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IXFH76N15T2

Name: IXYS IXFH76N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH76N15T2
Price: 3.47 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH76N15T2

Herst.- Nr.:

IXFH76N15T2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-247AD

Datenblatt:

IXFH76N15T2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	76 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	97 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	350 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Serie:	TrenchT2
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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IXFH76N15T2 Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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