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IXFK32N80P

Name: IXYS IXFK32N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK32N80P
Price: 9.39 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK32N80P

Herst.- Nr.:

IXFK32N80P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds

Datenblatt:

IXFK32N80P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	270 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	150 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	830 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	24 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	23 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	IXFK32N80
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK32N80P Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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