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onsemi NVXK2TR40WXT Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das  NVXK2TR40WXT Siliziumkarbid(SiC)-Modul von onsemi ist ein 1200 V, 40 mΩ und 27 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC-Leistungsmodul, das in einem APM32 DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2TR40WXT Leistungsmodul ist  gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Das NVXK2TR40WXT EliteSiC-MOSFET-Leistungsmodul eignet sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC- und On-Board-Ladegeräten in xEV-Applikationen.

Merkmale

  • DIP-Siliziumkarbid,(SiC)-Dual-Halbbrücken-Leistungsmodul
  • Drain-zu-Quellen-Spannung (VDSS): 1.200 V
  • Dauersenkenstrom (ID): 27 A
  • Drain-zu-Quellen-Einschaltwiderstand (RDS(on)) (typisch): 40 mΩ
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ): -55 °C bis +175 °C
  • Kriechstrecke und Luftstrecke gemäß IEC60664-1 und IEC 60950-1
  • Kompaktes Design für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Modul
  • Modul-Serialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
  • Bleifrei
  • RoHS- und UL94V-0-konform
  • Gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen

Applikationen

  • HV-DC/DC und On-board-Ladegerät für EV-PHEV
  • 11 kW bis 22 kW On-Board-Ladegerät für EV-PHEV

SiC-MOSFET-Halbbrückenmodul

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Veröffentlichungsdatum: 2024-08-02 | Aktualisiert: 2024-08-28