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NVXK2TR40WXT

Name: onsemi NVXK2TR40WXT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR40WXT
Price: 61.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVXK2TR40WXT

Herst.- Nr.:

NVXK2TR40WXT

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

NVXK2TR40WXT Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-32
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	319 W
Serie:	NVXK2TR40WXT
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual Half-Bridge
Abfallzeit:	9 ns
Höhe:	5.8 mm
Länge:	44.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	60
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	Half-Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Breite:	29 mm

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Datenblatt

NVXK2TR40WXT Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
ECCN:: EAR99

NVXK2TR40WXT Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das NVXK2TR40WXT Siliziumkarbid(SiC)-Modul von onsemi ist ein 1200 V, 40 mΩ und 27 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC-Leistungsmodul, das in einem APM32 DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2TR40WXT Leistungsmodul ist gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Das NVXK2TR40WXT EliteSiC-MOSFET-Leistungsmodul eignet sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC- und On-Board-Ladegeräten in xEV-Applikationen.