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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
573Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 55 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2VR40WXT2 Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Datenblatt
34Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube