NVXK2VR40WXT2

onsemi
863-NVXK2VR40WXT2
NVXK2VR40WXT2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE

Lebenszyklus:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
6 Channel
1.2 kV
55 A
59 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
319 W
NVXK2VR40WXT2
Tube
Marke: onsemi
Konfiguration: 3-Phase Bridge
Abfallzeit: 9 ns
Höhe: 5.8 mm
Länge: 44.2 mm
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 20 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
Breite: 29 mm
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542391010
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das onsemi  NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul ist ein 1200 V, 40 mΩ und 55 A Dreiphasen-Brückenleistungsmodul, das in einem DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2VR40WXT2 Leistungsmodul ist  gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung des NVXK2VR40WXT2 SiC-Moduls und der niedrigste thermische Widerstand machen es ideal für DC/DC- und On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.