onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V
onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen RDS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.Merkmale
- Doppelseitig gekühlte Gehäuse von 5 mm x 6 mm
- Montageart: SMD/SMT
- 20 V VGS (Gate-Source)
- 166 W PD (Verlustleistung)
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- RoHS-konform
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Applikationen
- Automotive
- Industrial power management
- Motor control
Veröffentlichungsdatum: 2019-10-25
| Aktualisiert: 2025-11-11
